Продукція > DIODES INC. > DMTH4002SCTB-13

DMTH4002SCTB-13 DIODES INC.

Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH4002SCTB-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 192 A, 2220 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 166.7W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2220µohm

на замовлення 685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис DMTH4002SCTB-13 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMTH4002SCTB-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 192 A, 2220 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 192A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 166.7W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2220µohm.

Інші пропозиції DMTH4002SCTB-13 за ціною від 60.51 грн до 60.51 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

DMTH4002SCTB-13

DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMTH4002SCTB-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 192 A, 2220 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 166.7W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2220µohm

на замовлення 685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH4002SCTB-13

Diodes Zetex

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

800+	60.51 грн

Мінімальне замовлення: 800 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH4002SCTB-13

Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH4002SCTB-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 192 A, 2220 µohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 166.7W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2220µohm

на замовлення 685 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH4002SCTB-13

Виробник: Diodes Zetex
N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 3200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
800+	60.51 грн

Мінімальне замовлення: 800 шт

В кошику од. на суму грн.