DMTH4002SCTBQ-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 31V~40V TO263 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 166.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 65.53 грн |
| 1600+ | 58.50 грн |
| 2400+ | 56.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH4002SCTBQ-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMTH4002SCTBQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 192 A, 0.00222 ohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85415000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 192A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 166.7W, Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00222ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMTH4002SCTBQ-13 за ціною від 65.24 грн до 65.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMTH4002SCTBQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH4002SCTBQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 192 A, 0.00222 ohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85415000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 192A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 166.7W Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00222ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
|
|
DMTH4002SCTBQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH4002SCTBQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 192 A, 0.00222 ohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85415000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 192A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 166.7W Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00222ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
| DMTH4002SCTBQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| DMTH4002SCTBQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V TO263 T&R 0.8K |
товару немає в наявності |