Продукція > DIODES INCORPORATED > DMTH4002SCTBQ-13
DMTH4002SCTBQ-13

DMTH4002SCTBQ-13 Diodes Incorporated

DMTH4002SCTBQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V TO263 T&R
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7180 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 166.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 192A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+63.67 грн
1600+56.83 грн
2400+55.09 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH4002SCTBQ-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMTH4002SCTBQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 192 A, 0.00222 ohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85415000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 192A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 166.7W, Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00222ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMTH4002SCTBQ-13 за ціною від 75.46 грн до 75.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMTH4002SCTBQ-13 DMTH4002SCTBQ-13 DIODES INC. DMTH4002SCTBQ.pdf Description: DIODES INC. - DMTH4002SCTBQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 192 A, 0.00222 ohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00222ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4002SCTBQ-13 DMTH4002SCTBQ-13 DIODES INC. DMTH4002SCTBQ.pdf Description: DIODES INC. - DMTH4002SCTBQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 192 A, 0.00222 ohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00222ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4002SCTBQ-13 Diodes Zetex DMTH4002SCTBQ.pdf N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+75.46 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4002SCTBQ-13 DMTH4002SCTBQ.pdf
DMTH4002SCTBQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH4002SCTBQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 192 A, 0.00222 ohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00222ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4002SCTBQ-13 DMTH4002SCTBQ.pdf
DMTH4002SCTBQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH4002SCTBQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 192 A, 0.00222 ohm, TO-263AB (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 192A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166.7W
Bauform - Transistor: TO-263AB (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00222ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4002SCTBQ-13 DMTH4002SCTBQ.pdf
Виробник: Diodes Zetex
N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+75.46 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.