на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 38.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH4004LK3-13 Diodes Zetex
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 200A; 180W; TO252, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Power dissipation: 180W, Case: TO252, Mounting: SMD, Kind of package: 13 inch reel; tape, Gate charge: 83nC, On-state resistance: 3mΩ, Gate-source voltage: ±20V, Drain current: 100A, Drain-source voltage: 40V, Pulsed drain current: 200A, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції DMTH4004LK3-13 за ціною від 32.06 грн до 145.03 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMTH4004LK3-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 MOSFETs 40V N-Ch Enh FET 3mOhm 10Vgs 100A |
на замовлення 2425 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMTH4004LK3-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DMTH4004LK3-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 200A; 180W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 180W Case: TO252 Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 83nC On-state resistance: 3mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 100A Drain-source voltage: 40V Pulsed drain current: 200A Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
 |
DMTH4004LK3-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252-4L |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DMTH4004LK3-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 200A; 180W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 180W Case: TO252 Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 83nC On-state resistance: 3mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 100A Drain-source voltage: 40V Pulsed drain current: 200A Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |