Продукція > DIODES ZETEX > DMTH4004SCTBQ-13
DMTH4004SCTBQ-13

DMTH4004SCTBQ-13 Diodes Zetex

1144dmth4004sctbq.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 251200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+55.51 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH4004SCTBQ-13 Diodes Zetex

Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMTH4004SCTBQ-13 за ціною від 53.34 грн до 163.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH4004SCTBQ-13 DMTH4004SCTBQ-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002833139-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH4004SCTBQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+80.88 грн
500+71.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4004SCTBQ-13 DMTH4004SCTBQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH4004SCTBQ.pdf MOSFETs 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.17 грн
10+104.06 грн
100+71.88 грн
500+71.14 грн
800+53.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4004SCTBQ-13 DMTH4004SCTBQ-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002833139-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH4004SCTBQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0025 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+138.65 грн
10+106.46 грн
100+80.88 грн
500+71.65 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4004SCTBQ-13 DMTH4004SCTBQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH4004SCTBQ.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.14 грн
10+105.22 грн
100+72.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4004SCTBQ-13 DMTH4004SCTBQ-13 Виробник : Diodes Zetex 1144dmth4004sctbq.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4004SCTBQ-13 DMTH4004SCTBQ-13 Виробник : Diodes Zetex 1144dmth4004sctbq.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4004SCTBQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH4004SCTBQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 200A; 4.7W; TO263AB
Mounting: SMD
Case: TO263AB
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 4.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 68.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3mΩ
кількість в упаковці: 800 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4004SCTBQ-13 DMTH4004SCTBQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH4004SCTBQ.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4305 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4004SCTBQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH4004SCTBQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 200A; 4.7W; TO263AB
Mounting: SMD
Case: TO263AB
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 4.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 68.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 200A
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.