DMTH4005SK3-13 Diodes Incorporated


DMTH4005SK3.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 95A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3062 pF @ 20 V
на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+21.56 грн
5000+19.67 грн
12500+18.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH4005SK3-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 40V 95A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3062 pF @ 20 V.

Інші пропозиції DMTH4005SK3-13 за ціною від 24.61 грн до 118.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH4005SK3-13 DMTH4005SK3-13 Diodes Incorporated DMTH4005SK3.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 95A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3062 pF @ 20 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.55 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4005SK3-13 DMTH4005SK3-13 Diodes Incorporated DMTH4005SK3.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS:
на замовлення 1768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+118.97 грн
10+73.76 грн
100+41.49 грн
500+31.93 грн
1000+28.83 грн
2500+24.82 грн
5000+24.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4005SK3-13 DMTH4005SK3.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 95A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3062 pF @ 20 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+58.55 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4005SK3-13 DMTH4005SK3.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS:
на замовлення 1768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+118.97 грн
10+73.76 грн
100+41.49 грн
500+31.93 грн
1000+28.83 грн
2500+24.82 грн
5000+24.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.