DMTH4007LK3Q-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 16.8A/70A TO252
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta), 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 29.74 грн |
| 7500+ | 25.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH4007LK3Q-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMTH4007LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 2.6W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm.
Інші пропозиції DMTH4007LK3Q-13 за ціною від 35.81 грн до 111.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMTH4007LK3Q-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 40V 16.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 67500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DMTH4007LK3Q-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 40V 16.8A/70A TO252 Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta), 70A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: TO-252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA |
на замовлення 66248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DMTH4007LK3Q-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs 40V 175c N-Ch FET 7.3mOhm 10Vgs 70A |
на замовлення 1505 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
DMTH4007LK3Q-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH4007LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 2.6W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm |
на замовлення 2370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
DMTH4007LK3Q-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH4007LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 2.6W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm |
на замовлення 2370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMTH4007LK3Q-13 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 40V 16.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 16.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 67500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 35.81 грн |
| DMTH4007LK3Q-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 16.8A/70A TO252
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta), 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Description: MOSFET N-CH 40V 16.8A/70A TO252
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta), 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
на замовлення 66248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 111.55 грн |
| 10+ | 67.73 грн |
| 25+ | 57.14 грн |
| 50+ | 47.43 грн |
| 100+ | 42.21 грн |
| DMTH4007LK3Q-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 40V 175c N-Ch FET 7.3mOhm 10Vgs 70A
MOSFETs 40V 175c N-Ch FET 7.3mOhm 10Vgs 70A
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMTH4007LK3Q-13 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH4007LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.6W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
Description: DIODES INC. - DMTH4007LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.6W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMTH4007LK3Q-13 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH4007LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.6W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
Description: DIODES INC. - DMTH4007LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 5500 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.6W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)