DMTH4007LPS-13

DMTH4007LPS-13 Diodes Incorporated


DMTH4007LPS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 15.5A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH4007LPS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 40V 15.5A PWRDI5060, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 30 V.

Інші пропозиції DMTH4007LPS-13 за ціною від 23.84 грн до 69.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH4007LPS-13 DMTH4007LPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH4007LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 15.5A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.05 грн
10+51.80 грн
100+38.01 грн
500+29.93 грн
1000+27.08 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LPS-13 DMTH4007LPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH4007LPS-3214687.pdf MOSFETs 40V 175c N-Ch Enh 20Vgss 7.3mOhm 70A
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.35 грн
10+55.84 грн
100+35.68 грн
500+28.62 грн
1000+26.04 грн
2500+23.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LPS-13 DMTH4007LPS-13 Виробник : Diodes Inc dmth4007lps.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 15.5A 8-Pin PowerDI 5060 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LPS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH4007LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; Idm: 340A; 83.3W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 85A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 340A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4007LPS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH4007LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; Idm: 340A; 83.3W
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 85A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 83.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 29.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 340A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.