DMTH4007SPDQ-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14.2A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2026pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
на замовлення 415000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 39.56 грн |
| 5000+ | 36.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH4007SPDQ-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMTH4007SPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 48 A, 48 A, 7500 µohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 48A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7500µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7500µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMTH4007SPDQ-13 за ціною від 33.67 грн до 154.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMTH4007SPDQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 402500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMTH4007SPDQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH4007SPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 48 A, 48 A, 7500 µohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 48A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7500µohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7500µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMTH4007SPDQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 14.2A PWRDI50 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.6W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2026pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active |
на замовлення 415399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMTH4007SPDQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMTH4007SPDQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH4007SPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 48 A, 48 A, 7500 µohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 48A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7500µohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7500µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMTH4007SPDQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMTH4007SPDQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |