DMTH4007SPDQ-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 40V 14.2A PWRDI50
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2026pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 37.54 грн |
| 5000+ | 34.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH4007SPDQ-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMTH4007SPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 48 A, 48 A, 7500 µohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 48A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 48A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7500µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7500µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMTH4007SPDQ-13 за ціною від 37.66 грн до 133.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMTH4007SPDQ-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 402500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DMTH4007SPDQ-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 14.2A PWRDI50Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2026pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 2.6W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 415399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DMTH4007SPDQ-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A |
на замовлення 861 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
DMTH4007SPDQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH4007SPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 48 A, 48 A, 7500 µohmtariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 48A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7500µohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7500µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
DMTH4007SPDQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH4007SPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 48 A, 48 A, 7500 µohmtariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 48A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 48A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7500µohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7500µohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMTH4007SPDQ-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 40V 12.5A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 402500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 47.03 грн |
| DMTH4007SPDQ-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 40V 14.2A PWRDI50
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2026pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET 2N-CH 40V 14.2A PWRDI50
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 17A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2026pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 415399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 133.28 грн |
| 10+ | 82.01 грн |
| 100+ | 55.26 грн |
| 500+ | 41.12 грн |
| 1000+ | 37.66 грн |
| DMTH4007SPDQ-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A
MOSFETs 40V 175c N-Ch FET 8.6mOhm 10Vgs 45A
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMTH4007SPDQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH4007SPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 48 A, 48 A, 7500 µohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 48A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7500µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMTH4007SPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 48 A, 48 A, 7500 µohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 48A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7500µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMTH4007SPDQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH4007SPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 48 A, 48 A, 7500 µohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 48A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7500µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMTH4007SPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 48 A, 48 A, 7500 µohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 48A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7500µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.6W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





