DMTH4008LFDFW-7 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH4008LFDFW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.6 A, 9100 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.35W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMTH4008LFDFW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.6 A, 9100 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 2.35W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 17.18 грн |
| 500+ | 15.87 грн |
| 1000+ | 14.58 грн |
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Технічний опис DMTH4008LFDFW-7 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH4008LFDFW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.6 A, 9100 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.35W, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMTH4008LFDFW-7 за ціною від 14.58 грн до 17.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
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DMTH4008LFDFW-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH4008LFDFW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.6 A, 9100 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.35W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9100µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1677 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMTH4008LFDFW-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 3K |
товару немає в наявності |
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| DMTH4008LFDFW-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.2A; Idm: 80A; 2.35W Case: U-DFN2020-6 Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 14.2nC On-state resistance: 18mΩ Power dissipation: 2.35W Drain current: 8.2A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Pulsed drain current: 80A |
товару немає в наявності |