Продукція > DIODES ZETEX > DMTH4008LFDFWQ-13
DMTH4008LFDFWQ-13

DMTH4008LFDFWQ-13 Diodes Zetex

dmth4008lfdfwq.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 40V 11.6A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 290000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+16.42 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH4008LFDFWQ-13 Diodes Zetex

Description: MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 990mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type F), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMTH4008LFDFWQ-13 за ціною від 14.22 грн до 68.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH4008LFDFWQ-13 DMTH4008LFDFWQ-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0005045243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH4008LFDFWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.6 A, 0.0091 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 990mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.68 грн
500+21.54 грн
1000+18.91 грн
5000+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFWQ-13 DMTH4008LFDFWQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0005045243_1-2542626.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 10K
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.48 грн
10+39.22 грн
100+23.44 грн
500+18.58 грн
1000+15.60 грн
2500+15.53 грн
5000+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFWQ-13 DMTH4008LFDFWQ-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0005045243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH4008LFDFWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.6 A, 0.0091 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 990mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+52.42 грн
19+44.45 грн
100+27.68 грн
500+21.54 грн
1000+18.91 грн
5000+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFWQ-13 DMTH4008LFDFWQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH4008LFDFWQ.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.29 грн
10+40.74 грн
100+26.50 грн
500+19.71 грн
1000+16.79 грн
2000+16.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFWQ-13 DMTH4008LFDFWQ-13 Виробник : Diodes Zetex dmth4008lfdfwq.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 11.6A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFWQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH4008LFDFWQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.2A; Idm: 80A; 2.35W
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 8.2A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 2.35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFWQ-13 DMTH4008LFDFWQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH4008LFDFWQ.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFWQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH4008LFDFWQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.2A; Idm: 80A; 2.35W
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 8.2A
On-state resistance: 18mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 2.35W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.