Продукція > DIODES ZETEX > DMTH4008LFDFWQ-13
DMTH4008LFDFWQ-13

DMTH4008LFDFWQ-13 Diodes Zetex

dmth4008lfdfwq.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 40V 11.6A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 290000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+16.42 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH4008LFDFWQ-13 Diodes Zetex

Description: MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 990mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type F), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMTH4008LFDFWQ-13 за ціною від 14.89 грн до 71.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH4008LFDFWQ-13 DMTH4008LFDFWQ-13 Виробник : DIODES INC. DMTH4008LFDFWQ.pdf Description: DIODES INC. - DMTH4008LFDFWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.6 A, 0.0091 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 990mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.07 грн
500+22.56 грн
1000+19.36 грн
5000+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFWQ-13 DMTH4008LFDFWQ-13 Виробник : DIODES INC. DMTH4008LFDFWQ.pdf Description: DIODES INC. - DMTH4008LFDFWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.6 A, 0.0091 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 990mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0091ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 8820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+47.99 грн
21+42.02 грн
100+29.07 грн
500+22.56 грн
1000+19.36 грн
5000+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFWQ-13 DMTH4008LFDFWQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0005045243_1-2542626.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 10K
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+48.67 грн
10+41.07 грн
100+24.54 грн
500+19.45 грн
1000+16.34 грн
2500+16.26 грн
5000+14.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFWQ-13 DMTH4008LFDFWQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH4008LFDFWQ.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.51 грн
10+42.66 грн
100+27.75 грн
500+20.64 грн
1000+17.58 грн
2000+17.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFWQ-13 DMTH4008LFDFWQ-13 Виробник : Diodes Zetex dmth4008lfdfwq.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 11.6A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFWQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH4008LFDFWQ.pdf DMTH4008LFDFWQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LFDFWQ-13 DMTH4008LFDFWQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH4008LFDFWQ.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 990mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.