DMTH4008LPDW-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W (Ta), 39.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 46.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 26.46 грн |
| 5000+ | 23.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH4008LPDW-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMTH4008LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 46.2 A, 46.2 A, 0.0123 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 46.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 46.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 39.4W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0123ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 39.4W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DMTH4008LPDW-13 за ціною від 18.78 грн до 99.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMTH4008LPDW-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH4008LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 46.2 A, 46.2 A, 0.0123 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 46.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 46.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 39.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0123ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 39.4W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMTH4008LPDW-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH4008LPDW-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 46.2 A, 46.2 A, 0.0123 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 46.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 46.2A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 39.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0123ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 39.4W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMTH4008LPDW-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A PWRDI50 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.67W (Ta), 39.4W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 46.2A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD) |
на замовлення 5470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|