DMTH4008LPDWQ-13

DMTH4008LPDWQ-13 Diodes Incorporated


DMTH4008LPDWQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W (Ta), 39.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 46.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.51 грн
5000+20.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH4008LPDWQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A PWRDI50, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.67W (Ta), 39.4W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 46.2A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMTH4008LPDWQ-13 за ціною від 19.77 грн до 89.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH4008LPDWQ-13 DMTH4008LPDWQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH4008LPDWQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W (Ta), 39.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 46.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.49 грн
10+54.45 грн
100+35.94 грн
500+26.26 грн
1000+23.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPDWQ-13 Виробник : Diodes Inc dmth4008lpdwq.pdf MOSFET BVDSS: 31V40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPDWQ-13 Виробник : Diodes Incorporated diod_s_a0011097969_1-2265528.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.17 грн
10+55.82 грн
100+33.61 грн
500+28.11 грн
1000+23.94 грн
2500+21.60 грн
5000+19.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPDWQ-13 DMTH4008LPDWQ-13 Виробник : Diodes Zetex dmth4008lpdwq.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 10A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPDWQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH4008LPDWQ.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 7.1A; Idm: 184A; 2.67W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 7.1A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 2.67W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.3nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPDWQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH4008LPDWQ.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 7.1A; Idm: 184A; 2.67W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 7.1A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 2.67W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 12.3nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.