на замовлення 195000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 21.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH4011SPD-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMTH4011SPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0116 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0116ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 37.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0116ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 37.5W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMTH4011SPD-13 за ціною від 20.53 грн до 89.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMTH4011SPD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2N-CH 40V 11.1A PWRDI50Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.6W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 42A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMTH4011SPD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH4011SPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0116 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0116ohm Verlustleistung, p-Kanal: 37.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0116ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 37.5W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMTH4011SPD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS 31V 40V |
на замовлення 7778 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMTH4011SPD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH4011SPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0116 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0116ohm Verlustleistung, p-Kanal: 37.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0116ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 37.5W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMTH4011SPD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 11.1A PWRDI50 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.6W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 42A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMTH4011SPD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 40V 11.1A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
DMTH4011SPD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 40V 11.1A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| DMTH4011SPD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMTH4011SPD-13 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |