| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.33 грн |
| 10+ | 49.95 грн |
| 100+ | 30.10 грн |
| 500+ | 25.14 грн |
| 1000+ | 21.37 грн |
| 2500+ | 19.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH4011SPD-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 40V 11.1A PWRDI50, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.6W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 42A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Grade: Automotive, Part Status: Active, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMTH4011SPD-13 за ціною від 27.51 грн до 94.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMTH4011SPD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2N-CH 40V 11.1A PWRDI50Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805pF @ 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 42A (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Power - Max: 2.6W (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive |
на замовлення 925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|