DMTH4011SPDQ-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 40V 11.1A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 42A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 29.19 грн |
| 5000+ | 26.10 грн |
| 7500+ | 25.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH4011SPDQ-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMTH4011SPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0116 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0116ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 37.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0116ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 37.5W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMTH4011SPDQ-13 за ціною від 26.63 грн до 110.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMTH4011SPDQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 40V 11.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMTH4011SPDQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 40V 11.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMTH4011SPDQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH4011SPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0116 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0116ohm Verlustleistung, p-Kanal: 37.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0116ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 37.5W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMTH4011SPDQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V |
на замовлення 1854 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMTH4011SPDQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH4011SPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0116 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0116ohm Verlustleistung, p-Kanal: 37.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0116ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 37.5W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMTH4011SPDQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 11.1A PWRDI50 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.6W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 42A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 50465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMTH4011SPDQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 40V 11.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMTH4011SPDQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 40V 11.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |