Продукція > DIODES INCORPORATED > DMTH4011SPDQ-13
DMTH4011SPDQ-13

DMTH4011SPDQ-13 Diodes Incorporated

DMTH4011SPDQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 40V 11.1A PWRDI50
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 42A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.6W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+33.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH4011SPDQ-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMTH4011SPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0116 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0116ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 37.5W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0116ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 37.5W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMTH4011SPDQ-13 за ціною від 34.03 грн до 122.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMTH4011SPDQ-13 DMTH4011SPDQ-13 Diodes Zetex dmth4011spdq.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 11.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.12 грн
5000+38.18 грн
10000+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPDQ-13 DMTH4011SPDQ-13 Diodes Zetex dmth4011spdq.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 11.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.12 грн
5000+38.18 грн
10000+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPDQ-13 DMTH4011SPDQ-13 Diodes Incorporated DMTH4011SPDQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 11.1A PWRDI50
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 42A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.6W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.44 грн
10+75.07 грн
100+50.28 грн
500+37.23 грн
1000+34.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPDQ-13 DMTH4011SPDQ-13 Diodes Incorporated DIOD_S_A0004145380_1-2542472.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 1854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPDQ-13 DMTH4011SPDQ-13 DIODES INC. DMTH4011SPDQ.pdf Description: DIODES INC. - DMTH4011SPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0116 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0116ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 37.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0116ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 37.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPDQ-13 DMTH4011SPDQ-13 DIODES INC. DMTH4011SPDQ.pdf Description: DIODES INC. - DMTH4011SPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0116 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0116ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 37.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0116ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 37.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPDQ-13 dmth4011spdq.pdf
DMTH4011SPDQ-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 40V 11.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+40.12 грн
5000+38.18 грн
10000+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPDQ-13 dmth4011spdq.pdf
DMTH4011SPDQ-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 40V 11.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+40.12 грн
5000+38.18 грн
10000+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPDQ-13 DMTH4011SPDQ.pdf
DMTH4011SPDQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 40V 11.1A PWRDI50
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta), 42A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.6W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+122.44 грн
10+75.07 грн
100+50.28 грн
500+37.23 грн
1000+34.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPDQ-13 DIOD_S_A0004145380_1-2542472.pdf
DMTH4011SPDQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 1854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPDQ-13 DMTH4011SPDQ.pdf
DMTH4011SPDQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH4011SPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0116 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0116ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 37.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0116ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 37.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4011SPDQ-13 DMTH4011SPDQ.pdf
DMTH4011SPDQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH4011SPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 42 A, 42 A, 0.0116 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 42A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0116ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 37.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0116ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 37.5W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.