Продукція > DIODES INCORPORATED > DMTH4014LFVWQ-13
DMTH4014LFVWQ-13

DMTH4014LFVWQ-13 Diodes Incorporated

DMTH4014LFVWQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 49.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.34 грн
6000+13.38 грн
9000+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH4014LFVWQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 49.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMTH4014LFVWQ-13 за ціною від 13.72 грн до 65.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH4014LFVWQ-13 DMTH4014LFVWQ-13 Виробник : Diodes Zetex dmth4014lfvwq.pdf 40V 175 Degrees N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LFVWQ-13 DMTH4014LFVWQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0011803034_1-2543661.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8/SWP T and R 3K
на замовлення 2921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.14 грн
10+42.54 грн
100+24.86 грн
500+19.10 грн
1000+17.28 грн
3000+13.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LFVWQ-13 DMTH4014LFVWQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH4014LFVWQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 49.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.59 грн
10+39.40 грн
100+25.84 грн
500+19.07 грн
1000+17.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LFVWQ-13 DMTH4014LFVWQ-13 Виробник : Diodes Zetex dmth4014lfvwq.pdf 40V 175 Degrees N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LFVWQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH4014LFVWQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.1A; Idm: 180A; 3.1W
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 3.1W
Drain current: 8.1A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 180A
Case: PowerDI3333-8
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11.2nC
On-state resistance: 26mΩ
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LFVWQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH4014LFVWQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.1A; Idm: 180A; 3.1W
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 3.1W
Drain current: 8.1A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 180A
Case: PowerDI3333-8
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11.2nC
On-state resistance: 26mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.