Продукція > DIODES INCORPORATED > DMTH4014LPD-13
DMTH4014LPD-13

DMTH4014LPD-13 Diodes Incorporated

DMTH4014LPD.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.6A PWRDI50
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 43.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.41W (Ta), 42.8W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+22.85 грн
5000+19.87 грн
7500+19.51 грн
12500+18.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH4014LPD-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.6A PWRDI50, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733pF @ 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 43.6A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Power - Max: 2.41W (Ta), 42.8W (Tc), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Configuration: 2 N-Channel (Dual), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMTH4014LPD-13 за ціною від 23.87 грн до 89.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMTH4014LPD-13 DMTH4014LPD-13 Diodes Incorporated DMTH4014LPD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.6A PWRDI50
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 43.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.41W (Ta), 42.8W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 107508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.11 грн
10+53.73 грн
100+35.53 грн
500+26.26 грн
1000+23.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPD-13 DMTH4014LPD-13 Diodes Incorporated DMTH4014LPD.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPD-13 DMTH4014LPD.pdf
DMTH4014LPD-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.6A PWRDI50
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 43.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 2.41W (Ta), 42.8W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 107508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+89.11 грн
10+53.73 грн
100+35.53 грн
500+26.26 грн
1000+23.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPD-13 DMTH4014LPD.pdf
DMTH4014LPD-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.