на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 23.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH4014LPD-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMTH4014LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 43.6 A, 43.6 A, 0.0118 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 43.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 43.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0118ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 42.8W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0118ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 42.8W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMTH4014LPD-13 за ціною від 19.15 грн до 94.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMTH4014LPD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 40V 10.6A 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMTH4014LPD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.6A PWRDI50 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.41W (Ta), 42.8W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 43.6A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 107500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMTH4014LPD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH4014LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 43.6 A, 43.6 A, 0.0118 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 43.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 43.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0118ohm Verlustleistung, p-Kanal: 42.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0118ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 42.8W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMTH4014LPD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V |
на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMTH4014LPD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH4014LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 43.6 A, 43.6 A, 0.0118 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 43.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 43.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0118ohm Verlustleistung, p-Kanal: 42.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0118ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 42.8W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMTH4014LPD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.6A PWRDI50 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.41W (Ta), 42.8W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 43.6A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 107508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMTH4014LPD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 40V 10.6A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DMTH4014LPD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 7.5A; Idm: 174A; 2.4W Kind of package: 13 inch reel; tape Power dissipation: 2.4W Drain current: 7.5A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Pulsed drain current: 174A Case: PowerDI5060-8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 10.2nC On-state resistance: 25mΩ кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| DMTH4014LPD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 7.5A; Idm: 174A; 2.4W Kind of package: 13 inch reel; tape Power dissipation: 2.4W Drain current: 7.5A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Pulsed drain current: 174A Case: PowerDI5060-8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 10.2nC On-state resistance: 25mΩ |
товару немає в наявності |