Продукція > DIODES INCORPORATED > DMTH4014LPDQ-13
DMTH4014LPDQ-13

DMTH4014LPDQ-13 Diodes Incorporated

DMTH4014LPDQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.6A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.41W (Ta), 42.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 43.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 422500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH4014LPDQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.6A PWRDI50, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.41W (Ta), 42.8W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 43.6A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMTH4014LPDQ-13 за ціною від 18.94 грн до 77.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH4014LPDQ-13 DMTH4014LPDQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH4014LPDQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.6A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.41W (Ta), 42.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 43.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 422500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.52 грн
10+55.61 грн
100+39.75 грн
500+30.07 грн
1000+27.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPDQ-13 DMTH4014LPDQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH4014LPDQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 2406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.42 грн
10+57.00 грн
100+33.83 грн
500+26.73 грн
1000+24.28 грн
2500+20.92 грн
5000+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPDQ-13 DMTH4014LPDQ-13 Виробник : Diodes Zetex dmth4014lpdq.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 10.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4014LPDQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH4014LPDQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 7.5A; Idm: 174A; 2.4W
Kind of package: 13 inch reel; tape
Power dissipation: 2.4W
Drain current: 7.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 174A
Case: PowerDI5060-8
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.2nC
On-state resistance: 25mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.