DMTH4014LPDQ-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.6A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.41W (Ta), 42.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 43.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 89.69 грн |
| 10+ | 54.13 грн |
| 100+ | 35.70 грн |
| 500+ | 26.08 грн |
| 1000+ | 23.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH4014LPDQ-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 40V 10.6A PWRDI50, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.41W (Ta), 42.8W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 43.6A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMTH4014LPDQ-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMTH4014LPDQ-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V |
на замовлення 2406 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DMTH4014LPDQ-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 2406 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)