Продукція > DIODES INC. > DMTH41M8SPS-13
DMTH41M8SPS-13

DMTH41M8SPS-13 DIODES INC.

DIOD-S-A0008363783-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH41M8SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.03W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+101.39 грн
500+79.53 грн
1000+67.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH41M8SPS-13 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMTH41M8SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.03W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DMTH41M8SPS-13 за ціною від 61.52 грн до 206.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH41M8SPS-13 DMTH41M8SPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0008363783_1-2542885.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.72 грн
10+144.06 грн
100+100.69 грн
500+82.46 грн
1000+68.82 грн
2500+63.98 грн
5000+61.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M8SPS-13 DMTH41M8SPS-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0008363783-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH41M8SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.03W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+206.34 грн
10+143.20 грн
100+101.39 грн
500+79.53 грн
1000+67.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M8SPS-13 DMTH41M8SPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH41M8SPS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.