Продукція > DIODES INC. > DMTH41M8SPS-13
DMTH41M8SPS-13

DMTH41M8SPS-13 DIODES INC.

DIOD-S-A0008363783-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH41M8SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.03W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+128.20 грн
500+98.41 грн
1000+82.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH41M8SPS-13 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMTH41M8SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.03W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMTH41M8SPS-13 за ціною від 59.12 грн до 243.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH41M8SPS-13 DMTH41M8SPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0008363783_1-2542885.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.32 грн
10+138.43 грн
100+96.76 грн
500+79.23 грн
1000+66.13 грн
2500+61.48 грн
5000+59.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M8SPS-13 DMTH41M8SPS-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0008363783-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH41M8SPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.03W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+243.58 грн
10+177.77 грн
100+128.20 грн
500+98.41 грн
1000+82.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH41M8SPS-13 DMTH41M8SPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH41M8SPS.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.