DMTH41M8SPSQ-13 Diodes Zetex
на замовлення 330000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 63.50 грн |
| 10000+ | 62.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH41M8SPSQ-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMTH41M8SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.03W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMTH41M8SPSQ-13 за ціною від 55.34 грн до 195.79 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMTH41M8SPSQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans MOSFET N-CH 40V 210A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 330000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMTH41M8SPSQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH41M8SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.03W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMTH41M8SPSQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V |
на замовлення 2491 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMTH41M8SPSQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.03W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6968 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMTH41M8SPSQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH41M8SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.03W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMTH41M8SPSQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 40V 210A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
DMTH41M8SPSQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.03W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 79.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6968 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |