DMTH43M8LFGQ-7

DMTH43M8LFGQ-7 Diodes Incorporated


DIOD_S_A0007740046_1-2542996.pdf Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS 31V40V
на замовлення 1960 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.26 грн
10+78.43 грн
100+52.90 грн
500+43.70 грн
1000+34.50 грн
2000+32.15 грн
4000+30.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH43M8LFGQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.62W (Ta), 65.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2798 pF @ 20 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMTH43M8LFGQ-7 за ціною від 33.30 грн до 116.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH43M8LFGQ-7 DMTH43M8LFGQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMTH43M8LFGQ.pdf Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.62W (Ta), 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2798 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.19 грн
10+71.27 грн
100+46.62 грн
500+33.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFGQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH43M8LFGQ.pdf DMTH43M8LFGQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFGQ-7 DMTH43M8LFGQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMTH43M8LFGQ.pdf Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.62W (Ta), 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2798 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.