Продукція > DIODES INC. > DMTH43M8LFGQ-7
DMTH43M8LFGQ-7

DMTH43M8LFGQ-7 DIODES INC.

DIOD-S-A0007740046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH43M8LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+52.27 грн
500+45.68 грн
1000+39.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH43M8LFGQ-7 DIODES INC.

Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.62W (Ta), 65.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2798 pF @ 20 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMTH43M8LFGQ-7 за ціною від 31.54 грн до 120.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH43M8LFGQ-7 DMTH43M8LFGQ-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0007740046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH43M8LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+77.16 грн
16+55.33 грн
100+52.27 грн
500+45.68 грн
1000+39.46 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFGQ-7 DMTH43M8LFGQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0007740046_1-2542996.pdf MOSFET MOSFET BVDSS 31V40V
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.22 грн
10+81.02 грн
100+54.65 грн
500+45.15 грн
1000+35.65 грн
2000+33.21 грн
4000+31.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFGQ-7 DMTH43M8LFGQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMTH43M8LFGQ.pdf Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.62W (Ta), 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2798 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.04 грн
10+73.63 грн
100+48.16 грн
500+34.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFGQ-7 DMTH43M8LFGQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMTH43M8LFGQ.pdf Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.62W (Ta), 65.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2798 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.