Продукція > DIODES INCORPORATED > DMTH43M8LFGQ-7
DMTH43M8LFGQ-7

DMTH43M8LFGQ-7 Diodes Incorporated

DMTH43M8LFGQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2798 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.62W (Ta), 65.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+96.09 грн
10+58.35 грн
100+38.63 грн
500+28.30 грн
1000+25.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH43M8LFGQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2798 pF @ 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.1 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.62W (Ta), 65.2W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerVDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive.

Інші пропозиції DMTH43M8LFGQ-7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMTH43M8LFGQ-7 DMTH43M8LFGQ-7 Diodes Incorporated DIOD_S_A0007740046_1-2542996.pdf MOSFET MOSFET BVDSS 31V40V
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFGQ-7 DMTH43M8LFGQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0007740046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH43M8LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFGQ-7 DMTH43M8LFGQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0007740046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH43M8LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFGQ-7 DIOD_S_A0007740046_1-2542996.pdf
DMTH43M8LFGQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS 31V40V
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFGQ-7 DIOD-S-A0007740046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH43M8LFGQ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH43M8LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LFGQ-7 DIOD-S-A0007740046-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH43M8LFGQ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH43M8LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2300 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2300µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.