Продукція > DIODES ZETEX > DMTH43M8LPSQ-13
DMTH43M8LPSQ-13

DMTH43M8LPSQ-13 Diodes Zetex

dmth43m8lpsq.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 40V 22A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 4597500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+39.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH43M8LPSQ-13 Diodes Zetex

Description: MOSFET N-CH 40V 22A PWRDI5060, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3367 pF @ 20 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMTH43M8LPSQ-13 за ціною від 26.05 грн до 124.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH43M8LPSQ-13 DMTH43M8LPSQ-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0014366896-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH43M8LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.54 грн
500+42.52 грн
1000+34.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LPSQ-13 DMTH43M8LPSQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH43M8LPSQ.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 22A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3367 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.60 грн
10+52.95 грн
100+35.73 грн
500+26.05 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LPSQ-13 DMTH43M8LPSQ-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0014366896-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH43M8LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2700 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2700µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+83.69 грн
16+57.38 грн
100+51.54 грн
500+42.52 грн
1000+34.25 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LPSQ-13 DMTH43M8LPSQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0004145349_1-2542402.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 4308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+124.20 грн
10+90.94 грн
100+54.27 грн
500+43.54 грн
1000+40.10 грн
2500+36.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LPSQ-13 DMTH43M8LPSQ-13 Виробник : Diodes Zetex dmth43m8lpsq.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 22A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LPSQ-13 DMTH43M8LPSQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH43M8LPSQ.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 22A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3367 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.