Продукція > DIODES INCORPORATED > DMTH43M8LPSQ-13
DMTH43M8LPSQ-13

DMTH43M8LPSQ-13 Diodes Incorporated

DMTH43M8LPSQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V 22A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3367 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4237500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+35.89 грн
5000+33.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH43M8LPSQ-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMTH43M8LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0027 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMTH43M8LPSQ-13 за ціною від 33.68 грн до 113.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH43M8LPSQ-13 DMTH43M8LPSQ-13 Виробник : Diodes Zetex dmth43m8lpsq.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 22A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 4597500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+37.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LPSQ-13 DMTH43M8LPSQ-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0014366896-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH43M8LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0027 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+56.01 грн
500+48.81 грн
1000+42.10 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LPSQ-13 DMTH43M8LPSQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH43M8LPSQ.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 22A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3367 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4239629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.71 грн
10+77.18 грн
100+52.96 грн
500+41.10 грн
1000+37.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LPSQ-13 DMTH43M8LPSQ-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0014366896-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH43M8LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0027 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+110.06 грн
11+81.56 грн
100+56.01 грн
500+48.81 грн
1000+42.10 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LPSQ-13 DMTH43M8LPSQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0004145349_1-2542402.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 4308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.60 грн
10+83.19 грн
100+49.64 грн
500+39.83 грн
1000+36.68 грн
2500+33.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LPSQ-13 DMTH43M8LPSQ-13 Виробник : Diodes Zetex dmth43m8lpsq.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 22A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH43M8LPSQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH43M8LPSQ.pdf DMTH43M8LPSQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.