Продукція > DIODES INCORPORATED > DMTH45M5LPSWQ-13
DMTH45M5LPSWQ-13

DMTH45M5LPSWQ-13 Diodes Incorporated

DMTH45M5LPSWQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
на замовлення 3469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+81.03 грн
10+60.85 грн
100+35.30 грн
500+27.84 грн
1000+25.30 грн
2500+22.77 грн
5000+21.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH45M5LPSWQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 72W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 20 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMTH45M5LPSWQ-13 за ціною від 24.80 грн до 93.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH45M5LPSWQ-13 DMTH45M5LPSWQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH45M5LPSWQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.18 грн
10+56.56 грн
100+37.32 грн
500+27.29 грн
1000+24.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH45M5LPSWQ-13 DMTH45M5LPSWQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH45M5LPSWQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 978 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH45M5LPSWQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH45M5LPSWQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 86A; Idm: 344A; 72W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 13.9nC
On-state resistance: 5.5mΩ
Power dissipation: 72W
Drain current: 86A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Pulsed drain current: 344A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI5060-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.