Продукція > DIODES INC. > DMTH47M2LPSWQ-13
DMTH47M2LPSWQ-13

DMTH47M2LPSWQ-13 DIODES INC.


3204172.pdf Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH47M2LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 0.0057 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2470 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
39+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 39
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH47M2LPSWQ-13 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMTH47M2LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 0.0057 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 3.8W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.8W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції DMTH47M2LPSWQ-13 за ціною від 19.53 грн до 19.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMTH47M2LPSWQ-13 DMTH47M2LPSWQ-13 Виробник : DIODES INC. 3204172.pdf Description: DIODES INC. - DMTH47M2LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 0.0057 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.8W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0057ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMTH47M2LPSWQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH47M2LPSWQ-13 Multi channel transistors
товар відсутній