Продукція > DIODES INCORPORATED > DMTH4M70SPGWQ-13
DMTH4M70SPGWQ-13

DMTH4M70SPGWQ-13 Diodes Incorporated

DMTH4M70SPGWQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 428W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI8080-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10053 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+97.30 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH4M70SPGWQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1235, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 428W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI8080-5, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10053 pF @ 20 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMTH4M70SPGWQ-13 за ціною від 95.25 грн до 310.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH4M70SPGWQ-13 DMTH4M70SPGWQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH4M70SPGWQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1235
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 428W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI8080-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10053 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+289.19 грн
10+182.68 грн
100+128.25 грн
500+107.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4M70SPGWQ-13 DMTH4M70SPGWQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH4M70SPGWQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI8080-5 T&R 2K
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+310.03 грн
10+203.43 грн
100+125.67 грн
500+112.06 грн
1000+111.26 грн
2000+95.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4M70SPGWQ-13 Виробник : Diodes Zetex dmth4m70spgwq.pdf 40V +175 Degrees N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+143.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4M70SPGWQ-13 Виробник : Diodes Inc dmth4m70spgwq.pdf MOSFET BVDSS: 31V40V PowerDI8080-5 T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4M70SPGWQ-13 Виробник : Diodes Zetex dmth4m70spgwq.pdf 40V +175 Degrees N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4M70SPGWQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH4M70SPGWQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 460A; 5.6W; PowerDI8080-5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 460A
Power dissipation: 5.6W
Case: PowerDI8080-5
On-state resistance: 0.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 117.1nC
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.