DMTH6002LPS-13

DMTH6002LPS-13 Diodes Incorporated


DMTH6002LPS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6555 pF @ 30 V
на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+55.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH6002LPS-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMTH6002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 205 A, 0.0017 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 205A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 167W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMTH6002LPS-13 за ціною від 52.98 грн до 184.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH6002LPS-13 DMTH6002LPS-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0012901561-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH6002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 205 A, 0.0017 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+81.97 грн
500+71.38 грн
1000+61.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6002LPS-13 DMTH6002LPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH6002LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6555 pF @ 30 V
на замовлення 8286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+162.35 грн
10+105.72 грн
100+73.59 грн
500+55.39 грн
1000+54.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6002LPS-13 DMTH6002LPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0012901561_1-2543926.pdf MOSFETs MOSFETBVDSS: 41V-60V
на замовлення 5233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.17 грн
10+119.42 грн
100+72.77 грн
250+72.01 грн
500+59.73 грн
1000+56.39 грн
2500+52.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6002LPS-13 DMTH6002LPS-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0012901561-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH6002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 205 A, 0.0017 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 205A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+184.51 грн
10+124.99 грн
100+88.43 грн
500+66.32 грн
1000+60.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6002LPS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH6002LPS.pdf DMTH6002LPS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.