Продукція > DIODES INCORPORATED > DMTH6004SCTB-13
DMTH6004SCTB-13

DMTH6004SCTB-13 Diodes Incorporated

DMTH6004SCTB.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+99.34 грн
1600+81.17 грн
2400+77.11 грн
5600+69.65 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH6004SCTB-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMTH6004SCTB-13 за ціною від 72.74 грн до 236.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH6004SCTB-13 DMTH6004SCTB-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH6004SCTB.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 23190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.59 грн
10+142.03 грн
100+113.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SCTB-13 DMTH6004SCTB-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH6004SCTB.pdf MOSFETs Enh Mode FET 41V to 60V TO263
на замовлення 829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.75 грн
10+157.33 грн
100+95.77 грн
800+72.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SCTB-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH6004SCTB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 200A; 4.7W; TO263AB
Case: TO263AB
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 95.4nC
On-state resistance: 3.4mΩ
Power dissipation: 4.7W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 200A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.