Продукція > DIODES INCORPORATED > DMTH6004SK3-13
DMTH6004SK3-13

DMTH6004SK3-13 Diodes Incorporated

DMTH6004SK3.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 492500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+37.20 грн
5000+33.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH6004SK3-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-252-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 180W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMTH6004SK3-13 за ціною від 37.36 грн до 133.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMTH6004SK3-13 DMTH6004SK3-13 Diodes Zetex 26dmth6004sk3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SK3-13 DMTH6004SK3-13 Diodes Zetex 26dmth6004sk3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SK3-13 DMTH6004SK3-13 Diodes Incorporated DMTH6004SK3.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 493825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.28 грн
10+81.71 грн
100+54.96 грн
500+40.82 грн
1000+37.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SK3-13 DMTH6004SK3-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002833251-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH6004SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SK3-13 DMTH6004SK3-13 Diodes Incorporated DMTH6004SK3.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 43287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SK3-13 DMTH6004SK3-13 DIODES INC. DIOD-S-A0002833251-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH6004SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SK3-13 26dmth6004sk3.pdf
DMTH6004SK3-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+49.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SK3-13 26dmth6004sk3.pdf
DMTH6004SK3-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+49.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SK3-13 DMTH6004SK3.pdf
DMTH6004SK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 493825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+133.28 грн
10+81.71 грн
100+54.96 грн
500+40.82 грн
1000+37.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SK3-13 DIOD-S-A0002833251-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH6004SK3-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6004SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SK3-13 DMTH6004SK3.pdf
DMTH6004SK3-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 43287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SK3-13 DIOD-S-A0002833251-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH6004SK3-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6004SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.