DMTH6004SK3Q-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252
Qualification: AEC-Q101
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 40.56 грн |
| 5000+ | 38.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH6004SK3Q-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMTH6004SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DMTH6004SK3Q-13 за ціною від 36.78 грн до 203.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMTH6004SK3Q-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMTH6004SK3Q-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH6004SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 4063 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMTH6004SK3Q-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-252-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 180W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 235350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMTH6004SK3Q-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 3.9W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 3.9W Case: TO252 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.8mΩ Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry |
на замовлення 822 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMTH6004SK3Q-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V |
на замовлення 1965 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMTH6004SK3Q-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH6004SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 4063 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| DMTH6004SK3Q-13 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 55.32 грн |
| DMTH6004SK3Q-13 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6004SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMTH6004SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 81.39 грн |
| 500+ | 62.93 грн |
| 1000+ | 53.66 грн |
| DMTH6004SK3Q-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 235350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 105.22 грн |
| 10+ | 78.85 грн |
| 100+ | 55.35 грн |
| 500+ | 43.96 грн |
| 1000+ | 40.32 грн |
| DMTH6004SK3Q-13 |
|
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 3.9W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 3.9W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 3.9W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 3.9W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 822 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 123.07 грн |
| 10+ | 75.34 грн |
| 25+ | 65.18 грн |
| 100+ | 59.26 грн |
| DMTH6004SK3Q-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 150.97 грн |
| 10+ | 92.20 грн |
| 100+ | 55.84 грн |
| 500+ | 44.31 грн |
| 1000+ | 40.65 грн |
| 2500+ | 36.78 грн |
| DMTH6004SK3Q-13 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6004SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMTH6004SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 203.48 грн |
| 10+ | 131.27 грн |
| 100+ | 81.39 грн |
| 500+ | 62.93 грн |
| 1000+ | 53.66 грн |