Продукція > DIODES INCORPORATED > DMTH6004SPS-13
DMTH6004SPS-13

DMTH6004SPS-13 Diodes Incorporated

DMTH6004SPS.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+56.97 грн
5000+52.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH6004SPS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V.

Інші пропозиції DMTH6004SPS-13 за ціною від 53.17 грн до 185.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH6004SPS-13 DMTH6004SPS-13 Diodes Incorporated DMTH6004SPS-3214716.pdf MOSFETs 60V 175c N-Ch FET 20Vgss 21A 2.1W
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+185.43 грн
10+156.09 грн
100+111.11 грн
500+92.13 грн
1000+81.58 грн
2500+53.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SPS-13 DMTH6004SPS-13 Diodes Incorporated DMTH6004SPS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SPS-13 DMTH6004SPS-3214716.pdf
DMTH6004SPS-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 60V 175c N-Ch FET 20Vgss 21A 2.1W
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+185.43 грн
10+156.09 грн
100+111.11 грн
500+92.13 грн
1000+81.58 грн
2500+53.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SPS-13 DMTH6004SPS.pdf
DMTH6004SPS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 25A PWRDI5060
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.