Продукція > DIODES INCORPORATED > DMTH6004SPSQ-13
DMTH6004SPSQ-13

DMTH6004SPSQ-13 Diodes Incorporated

DMTH6004SPSQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+71.29 грн
5000+66.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH6004SPSQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V.

Інші пропозиції DMTH6004SPSQ-13 за ціною від 66.40 грн до 171.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH6004SPSQ-13 DMTH6004SPSQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH6004SPSQ.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+158.39 грн
10+126.45 грн
100+100.65 грн
500+79.92 грн
1000+67.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SPSQ-13 DMTH6004SPSQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH6004SPSQ-3214425.pdf MOSFETs 60V 175c N-Ch FET 3.1mOhm 10Vgs 100A
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+171.69 грн
10+131.35 грн
100+82.00 грн
500+67.65 грн
1000+66.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SPSQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH6004SPSQ.pdf DMTH6004SPSQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.