DMTH6004SPSQ-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 75.59 грн |
| 5000+ | 70.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH6004SPSQ-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V.
Інші пропозиції DMTH6004SPSQ-13 за ціною від 70.41 грн до 182.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMTH6004SPSQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V |
на замовлення 65000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMTH6004SPSQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 60V 175c N-Ch FET 3.1mOhm 10Vgs 100A |
на замовлення 1208 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|