DMTH6005LPS-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2962 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 40.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH6005LPS-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2962 pF @ 30 V.
Інші пропозиції DMTH6005LPS-13 за ціною від 38.00 грн до 110.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMTH6005LPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2962 pF @ 30 V |
на замовлення 4896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMTH6005LPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 60V 175c N-Ch FET 5.5mOhm 10Vgs 100A |
на замовлення 1944 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMTH6005LPS-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 20.6A 8-Pin PowerDI 5060 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| DMTH6005LPS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17.2A; Idm: 160A; 3.2W Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 On-state resistance: 10mΩ Kind of package: 13 inch reel; tape Drain-source voltage: 60V Drain current: 17.2A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.2W Polarisation: unipolar Gate charge: 47.1nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 160A кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| DMTH6005LPS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17.2A; Idm: 160A; 3.2W Mounting: SMD Case: PowerDI5060-8 On-state resistance: 10mΩ Kind of package: 13 inch reel; tape Drain-source voltage: 60V Drain current: 17.2A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 3.2W Polarisation: unipolar Gate charge: 47.1nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 160A |
товару немає в наявності |