Продукція > DIODES INCORPORATED > DMTH6009LK3Q-13
DMTH6009LK3Q-13

DMTH6009LK3Q-13 Diodes Incorporated

DMTH6009LK3Q.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 14.2A/59A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta), 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 60W (Tc)
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+35.28 грн
5000+32.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH6009LK3Q-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 14.2A/59A TO252, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta), 59A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: TO-252-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 60W (Tc).

Інші пропозиції DMTH6009LK3Q-13 за ціною від 35.01 грн до 88.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMTH6009LK3Q-13 DMTH6009LK3Q-13 Diodes Zetex 67dmth6009lk3q.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 182500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.82 грн
5000+43.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LK3Q-13 DMTH6009LK3Q-13 Diodes Zetex 67dmth6009lk3q.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 182500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.82 грн
5000+43.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LK3Q-13 DMTH6009LK3Q-13 Diodes Zetex 67dmth6009lk3q.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LK3Q-13 DMTH6009LK3Q-13 Diodes Incorporated DMTH6009LK3Q.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 14.2A/59A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta), 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 63979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.92 грн
10+68.65 грн
100+48.19 грн
500+38.22 грн
1000+35.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LK3Q-13 DMTH6009LK3Q-13 Diodes Incorporated DMTH6009LK3.pdf MOSFETs N-Ch Enh Mode Fet 60Vdss 20Vgss 60W
на замовлення 10861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LK3Q-13 DMTH6009LK3Q-13 DIODES INC. DMTH6009LK3Q.pdf Description: DIODES INC. - DMTH6009LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 59 A, 0.0083 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LK3Q-13 DMTH6009LK3Q-13 DIODES INC. DMTH6009LK3Q.pdf Description: DIODES INC. - DMTH6009LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 59 A, 0.0083 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LK3Q-13 67dmth6009lk3q.pdf
DMTH6009LK3Q-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 14.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 182500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+43.82 грн
5000+43.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LK3Q-13 67dmth6009lk3q.pdf
DMTH6009LK3Q-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 14.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 182500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+43.82 грн
5000+43.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LK3Q-13 67dmth6009lk3q.pdf
DMTH6009LK3Q-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 14.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+44.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LK3Q-13 DMTH6009LK3Q.pdf
DMTH6009LK3Q-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 14.2A/59A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta), 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 63979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+88.92 грн
10+68.65 грн
100+48.19 грн
500+38.22 грн
1000+35.01 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LK3Q-13 DMTH6009LK3.pdf
DMTH6009LK3Q-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs N-Ch Enh Mode Fet 60Vdss 20Vgss 60W
на замовлення 10861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LK3Q-13 DMTH6009LK3Q.pdf
DMTH6009LK3Q-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6009LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 59 A, 0.0083 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LK3Q-13 DMTH6009LK3Q.pdf
DMTH6009LK3Q-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6009LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 59 A, 0.0083 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.