Продукція > DIODES INCORPORATED > DMTH6009LPS-13
DMTH6009LPS-13

DMTH6009LPS-13 Diodes Incorporated

DMTH6009LPS.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.76A (Ta), 89.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+22.47 грн
5000+19.98 грн
7500+19.13 грн
12500+17.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH6009LPS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±16V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 136W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.76A (Ta), 89.5A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerTDFN, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMTH6009LPS-13 за ціною від 21.62 грн до 86.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMTH6009LPS-13 DMTH6009LPS-13 Diodes Zetex dmth6009lps.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11.76A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LPS-13 DMTH6009LPS-13 Diodes Zetex dmth6009lps.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11.76A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
364+38.67 грн
367+38.31 грн
452+31.10 грн
457+29.70 грн
500+25.97 грн
1000+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 364 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LPS-13 DMTH6009LPS-13 Diodes Zetex dmth6009lps.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11.76A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.74 грн
20+38.67 грн
25+38.31 грн
100+29.99 грн
250+27.50 грн
500+24.93 грн
1000+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LPS-13 DMTH6009LPS-13 Diodes Incorporated DMTH6009LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.76A (Ta), 89.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 320177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.98 грн
10+52.33 грн
100+34.48 грн
500+25.15 грн
1000+22.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LPS-13 DMTH6009LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0007771163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH6009LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89.5 A, 7200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LPS-13 DMTH6009LPS-13 Diodes Incorporated DMTH6009LPS.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 4736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LPS-13 DMTH6009LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0007771163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH6009LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89.5 A, 7200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LPS-13 dmth6009lps.pdf
DMTH6009LPS-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 11.76A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+24.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LPS-13 dmth6009lps.pdf
DMTH6009LPS-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 11.76A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
364+38.67 грн
367+38.31 грн
452+31.10 грн
457+29.70 грн
500+25.97 грн
1000+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 364 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LPS-13 dmth6009lps.pdf
DMTH6009LPS-13
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 11.76A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+45.74 грн
20+38.67 грн
25+38.31 грн
100+29.99 грн
250+27.50 грн
500+24.93 грн
1000+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LPS-13 DMTH6009LPS.pdf
DMTH6009LPS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.76A (Ta), 89.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 320177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.98 грн
10+52.33 грн
100+34.48 грн
500+25.15 грн
1000+22.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LPS-13 DIOD-S-A0007771163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH6009LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6009LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89.5 A, 7200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LPS-13 DMTH6009LPS.pdf
DMTH6009LPS-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 4736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LPS-13 DIOD-S-A0007771163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH6009LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6009LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89.5 A, 7200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.