DMTH6009LPS-13 Diodes Zetex
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 21.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH6009LPS-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMTH6009LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89.5 A, 0.0072 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 89.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMTH6009LPS-13 за ціною від 17.43 грн до 89.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMTH6009LPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.76A (Ta), 89.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 320000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMTH6009LPS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH6009LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89.5 A, 0.0072 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 89.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMTH6009LPS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 11.76A 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 1562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMTH6009LPS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 11.76A 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 1562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMTH6009LPS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH6009LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89.5 A, 0.0072 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 89.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMTH6009LPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V |
на замовлення 4145 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMTH6009LPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.76A (Ta), 89.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 136W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 320177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMTH6009LPS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 11.76A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DMTH6009LPS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
DMTH6009LPS-13 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |