DMTH6010LK3-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 14.8A/70A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 34.22 грн |
| 5000+ | 30.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH6010LK3-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 14.8A/70A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V.
Інші пропозиції DMTH6010LK3-13 за ціною від 34.25 грн до 139.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMTH6010LK3-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 14.8A/70A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V |
на замовлення 112494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMTH6010LK3-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 60V 175c N-Ch FET 20Vgss 2.6W 2090pF |
на замовлення 2498 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|