DMTH6010LPD-13 Diodes Incorporated


DMTH6010LPD.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 47.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2615pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH6010LPD-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.8W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 47.6A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2615pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMTH6010LPD-13 за ціною від 28.90 грн до 121.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH6010LPD-13 DMTH6010LPD-13 Diodes Incorporated DMTH6010LPD.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 3042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.22 грн
10+77.88 грн
100+46.91 грн
500+37.06 грн
1000+33.97 грн
2500+29.61 грн
5000+28.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPD-13 DMTH6010LPD-13 Diodes Incorporated DMTH6010LPD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 47.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2615pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.84 грн
10+74.59 грн
100+50.12 грн
500+37.19 грн
1000+34.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPD-13 DMTH6010LPD.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 3042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.22 грн
10+77.88 грн
100+46.91 грн
500+37.06 грн
1000+33.97 грн
2500+29.61 грн
5000+28.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPD-13 DMTH6010LPD.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 47.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2615pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.84 грн
10+74.59 грн
100+50.12 грн
500+37.19 грн
1000+34.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.