DMTH6010LPD-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 47.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2615pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 37.11 грн |
| 5000+ | 33.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH6010LPD-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMTH6010LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 47.6 A, 47.6 A, 0.0085 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47.6A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 47.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 47.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0085ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0085ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMTH6010LPD-13 за ціною від 32.58 грн до 133.05 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMTH6010LPD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH6010LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 47.6 A, 47.6 A, 0.0085 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47.6A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 47.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 47.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0085ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0085ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMTH6010LPD-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH6010LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 47.6 A, 47.6 A, 0.0085 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 47.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 47.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0085ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0085ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMTH6010LPD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V |
на замовлення 3622 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMTH6010LPD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 47.6A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2615pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 86269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMTH6010LPD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10.9A; Idm: 170A; 2.8W Case: PowerDI5060-8 Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 170A Drain-source voltage: 60V Drain current: 10.9A On-state resistance: 16mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 40.2nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| DMTH6010LPD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10.9A; Idm: 170A; 2.8W Case: PowerDI5060-8 Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 170A Drain-source voltage: 60V Drain current: 10.9A On-state resistance: 16mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.8W Polarisation: unipolar Gate charge: 40.2nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |