Продукція > DIODES INCORPORATED > DMTH6010LPDQ-13
DMTH6010LPDQ-13

DMTH6010LPDQ-13 Diodes Incorporated

DMTH6010LPDQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 47.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2615pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1322500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+43.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH6010LPDQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.8W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 47.6A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2615pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMTH6010LPDQ-13 за ціною від 41.80 грн до 157.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH6010LPDQ-13 DMTH6010LPDQ-13 Виробник : Diodes Zetex dmth6010lpdq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 13.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1307500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+46.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPDQ-13 DMTH6010LPDQ-13 Виробник : Diodes Zetex dmth6010lpdq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 13.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+61.59 грн
12+53.92 грн
25+53.38 грн
100+44.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPDQ-13 DMTH6010LPDQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH6010LPDQ-3214775.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 6268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.92 грн
10+76.03 грн
100+52.35 грн
500+47.00 грн
1000+42.24 грн
2500+41.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPDQ-13 DMTH6010LPDQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH6010LPDQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 47.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2615pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1324056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.60 грн
10+97.08 грн
100+65.83 грн
500+49.21 грн
1000+45.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPDQ-13 DMTH6010LPDQ-13 Виробник : Diodes Zetex dmth6010lpdq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 13.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPDQ-13 DMTH6010LPDQ-13 Виробник : Diodes Zetex dmth6010lpdq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 13.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPDQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH6010LPDQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10.9A; Idm: 170A; 2.8W
Case: PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 170A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10.9A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 2.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40.2nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPDQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH6010LPDQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10.9A; Idm: 170A; 2.8W
Case: PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 170A
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 10.9A
On-state resistance: 16mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 2.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 40.2nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.