DMTH6010LPDQ-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 47.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2615pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 29.78 грн |
| 5000+ | 26.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH6010LPDQ-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMTH6010LPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 47.6 A, 47.6 A, 0.011 ohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 47.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 47.6A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMTH6010LPDQ-13 за ціною від 30.91 грн до 112.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMTH6010LPDQ-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 13.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 1307500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DMTH6010LPDQ-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 13.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DMTH6010LPDQ-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 47.6A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2615pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5206 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DMTH6010LPDQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH6010LPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 47.6 A, 47.6 A, 0.011 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 47.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 47.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
DMTH6010LPDQ-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V |
на замовлення 1418 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
DMTH6010LPDQ-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 13.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
DMTH6010LPDQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH6010LPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 47.6 A, 47.6 A, 0.011 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 47.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 47.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMTH6010LPDQ-13 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 13.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 13.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1307500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 54.33 грн |
| DMTH6010LPDQ-13 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 13.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 13.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 77.09 грн |
| 12+ | 67.49 грн |
| 25+ | 66.82 грн |
| 100+ | 56.26 грн |
| DMTH6010LPDQ-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 47.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2615pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 47.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2615pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 112.11 грн |
| 10+ | 68.42 грн |
| 100+ | 45.77 грн |
| 500+ | 33.84 грн |
| 1000+ | 30.91 грн |
| DMTH6010LPDQ-13 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6010LPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 47.6 A, 47.6 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 47.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 47.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMTH6010LPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 47.6 A, 47.6 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 47.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 47.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMTH6010LPDQ-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMTH6010LPDQ-13 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 13.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 13.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMTH6010LPDQ-13 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6010LPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 47.6 A, 47.6 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 47.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 47.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMTH6010LPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 47.6 A, 47.6 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 47.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 47.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)