DMTH6010LPSQ-13 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH6010LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 6400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 71.85 грн |
| 500+ | 54.05 грн |
| 1000+ | 49.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH6010LPSQ-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6010LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 6400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMTH6010LPSQ-13 за ціною від 41.20 грн до 148.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMTH6010LPSQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 100A |
на замовлення 2248 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMTH6010LPSQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH6010LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 6400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMTH6010LPSQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 13.5A POWERDI506 |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
DMTH6010LPSQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 13.5A POWERDI506 |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
 |
DMTH6010LPSQ-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 13.5A Automotive 8-Pin PowerDI 5060 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
DMTH6010LPSQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 13.5A POWERDI506 |
товару немає в наявності |