
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
254+ | 48.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH6010SCT Diodes Zetex
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 160A; 125W; TO220-3, Mounting: THT, Kind of package: tube, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 7.2mΩ, Drain current: 100A, Drain-source voltage: 60V, Case: TO220-3, Gate charge: 36.3nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 160A, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 125W, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції DMTH6010SCT за ціною від 42.96 грн до 140.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMTH6010SCT | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMTH6010SCT | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DMTH6010SCT | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
DMTH6010SCT | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 160A; 125W; TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 7.2mΩ Drain current: 100A Drain-source voltage: 60V Case: TO220-3 Gate charge: 36.3nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 160A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 125W кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
DMTH6010SCT | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 160A; 125W; TO220-3 Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 7.2mΩ Drain current: 100A Drain-source voltage: 60V Case: TO220-3 Gate charge: 36.3nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 160A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 125W |
товару немає в наявності |