DMTH6010SPS-13 DIODES INCORPORATED

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10.4A; Idm: 400A; 2.6W
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 8mΩ
Drain current: 10.4A
Drain-source voltage: 60V
Case: PowerDI5060-8
Gate charge: 38.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.6W
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH6010SPS-13 DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10.4A; Idm: 400A; 2.6W, Mounting: SMD, Kind of package: 13 inch reel; tape, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 8mΩ, Drain current: 10.4A, Drain-source voltage: 60V, Case: PowerDI5060-8, Gate charge: 38.1nC, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 400A, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 2.6W, кількість в упаковці: 2500 шт.
Інші пропозиції DMTH6010SPS-13
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
|
DMTH6010SPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
DMTH6010SPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
товару немає в наявності |
|
DMTH6010SPS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10.4A; Idm: 400A; 2.6W Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Polarisation: unipolar On-state resistance: 8mΩ Drain current: 10.4A Drain-source voltage: 60V Case: PowerDI5060-8 Gate charge: 38.1nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.6W |
товару немає в наявності |