Продукція > DIODES INCORPORATED > DMTH6016LFDFW-7
DMTH6016LFDFW-7

DMTH6016LFDFW-7 Diodes Incorporated

DMTH6016LFDFW.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.06W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.63 грн
6000+17.57 грн
9000+17.33 грн
15000+15.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH6016LFDFW-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.06W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type F), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMTH6016LFDFW-7 за ціною від 16.91 грн до 55.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH6016LFDFW-7 DMTH6016LFDFW-7 Виробник : Diodes Incorporated DMTH6016LFDFW.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.06W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 86860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.59 грн
10+44.07 грн
100+28.67 грн
500+22.46 грн
1000+20.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LFDFW-7 DMTH6016LFDFW-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0004887874_1-2542521.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 10299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+55.54 грн
10+46.82 грн
100+26.92 грн
500+21.41 грн
1000+19.59 грн
3000+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LFDFW-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH6016LFDFW.pdf DMTH6016LFDFW-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.