DMTH6016LFDFWQ-7R Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.06W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 501000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 22.47 грн |
| 6000+ | 21.32 грн |
| 9000+ | 20.51 грн |
| 15000+ | 19.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH6016LFDFWQ-7R Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMTH6016LFDFWQ-7R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.0138 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.3W, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0138ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMTH6016LFDFWQ-7R за ціною від 19.21 грн до 76.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMTH6016LFDFWQ-7R | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH6016LFDFWQ-7R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.0138 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.3W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0138ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMTH6016LFDFWQ-7R | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.06W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 501586 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMTH6016LFDFWQ-7R | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V |
на замовлення 79982 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|