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Технічний опис DMTH6016LFDFWQ-7R Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMTH6016LFDFWQ-7R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.0138 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.3W, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0138ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMTH6016LFDFWQ-7R
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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DMTH6016LFDFWQ-7R | DIODES INC. |
 Description: DIODES INC. - DMTH6016LFDFWQ-7R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.0138 ohm, U-DFN2020, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.3W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0138ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DMTH6016LFDFWQ-7R |
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Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6016LFDFWQ-7R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.0138 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0138ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMTH6016LFDFWQ-7R - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.0138 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.3W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0138ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)