Технічний опис DMTH6016LPDQ-13 Diodes Zetex
Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI50, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.5W (Ta), 37.5W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 33.2A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMTH6016LPDQ-13 за ціною від 25.02 грн до 85.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DMTH6016LPDQ-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 160000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
DMTH6016LPDQ-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 945000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
DMTH6016LPDQ-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 2397500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
DMTH6016LPDQ-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 97500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
DMTH6016LPDQ-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI50Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W (Ta), 37.5W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 33.2A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
DMTH6016LPDQ-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V |
на замовлення 2458 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DMTH6016LPDQ-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 44.20 грн |
| DMTH6016LPDQ-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 945000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 44.93 грн |
| DMTH6016LPDQ-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2397500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 44.93 грн |
| DMTH6016LPDQ-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 9.2A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 97500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 45.74 грн |
| 5000+ | 43.71 грн |
| 12500+ | 42.38 грн |
| DMTH6016LPDQ-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 85.24 грн |
| 10+ | 51.79 грн |
| 100+ | 34.21 грн |
| 500+ | 25.02 грн |
| DMTH6016LPDQ-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 2458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)





