DMTH6016LPS-13 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH6016LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 37.1 A, 0.0124 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 29.98 грн |
| 500+ | 21.96 грн |
| 1000+ | 17.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH6016LPS-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6016LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 37.1 A, 0.0124 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 37.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37.5W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMTH6016LPS-13 за ціною від 15.84 грн до 58.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMTH6016LPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 37.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 37.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMTH6016LPS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH6016LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 37.1 A, 0.0124 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 37.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 37.5W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMTH6016LPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V |
на замовлення 33 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
DMTH6016LPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 37.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 37.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |