DMTH6016LPSQ-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 37.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 15.38 грн |
| 5000+ | 13.58 грн |
| 7500+ | 12.96 грн |
| 12500+ | 11.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH6016LPSQ-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMTH6016LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.8 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 2.6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 2.6W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm.
Інші пропозиції DMTH6016LPSQ-13 за ціною від 15.76 грн до 62.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMTH6016LPSQ-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 37.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 16973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DMTH6016LPSQ-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V |
на замовлення 6971 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
DMTH6016LPSQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH6016LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.8 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 2.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 2.6W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm |
на замовлення 2460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMTH6016LPSQ-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 37.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 37.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 62.91 грн |
| 10+ | 37.47 грн |
| 100+ | 24.29 грн |
| 500+ | 17.47 грн |
| 1000+ | 15.76 грн |
| DMTH6016LPSQ-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 6971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMTH6016LPSQ-13 |
|
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6016LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.8 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 2.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
Description: DIODES INC. - DMTH6016LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.8 A, 0.012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 2.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 2.6W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)