Продукція > DIODES INCORPORATED > DMTH6016LPSQ-13
DMTH6016LPSQ-13

DMTH6016LPSQ-13 Diodes Incorporated

DMTH6016LPSQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 37.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+14.83 грн
5000+14.20 грн
7500+13.56 грн
12500+12.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH6016LPSQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 37A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 37.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMTH6016LPSQ-13 за ціною від 16.23 грн до 59.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH6016LPSQ-13 DMTH6016LPSQ-13 Виробник : Diodes Inc dmth6016lpsq.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 9.8A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPSQ-13 DMTH6016LPSQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH6016LPSQ.pdf Description: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 37.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.40 грн
10+38.89 грн
100+25.27 грн
500+18.21 грн
1000+16.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPSQ-13 DMTH6016LPSQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH6016LPSQ.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 12387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPSQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH6016LPSQ.pdf DMTH6016LPSQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.