DMTH6016LPSQ-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 37A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 37.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 14.60 грн |
| 5000+ | 12.90 грн |
| 7500+ | 12.55 грн |
| 12500+ | 11.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH6016LPSQ-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 37A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 37.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMTH6016LPSQ-13 за ціною від 15.42 грн до 61.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMTH6016LPSQ-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 9.8A Automotive 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMTH6016LPSQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDIPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Ta), 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 37.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 47715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
DMTH6016LPSQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V |
на замовлення 12387 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
