на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 29.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH6016LSD-13 Diodes Inc
Description: MOSFET 2N-CH 7.6A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMTH6016LSD-13 за ціною від 22.28 грн до 107.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMTH6016LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2N-CH 7.6A 8SOICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1097 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMTH6016LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V |
на замовлення 58171 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMTH6016LSD-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
DMTH6016LSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 6.2A; 1.4W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 6.2A Power dissipation: 1.4W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
DMTH6016LSD-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 7.6A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
DMTH6016LSD-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 6.2A; 1.4W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 6.2A Power dissipation: 1.4W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |