Продукція > DIODES INCORPORATED > DMTH6016LSDQ-13
DMTH6016LSDQ-13

DMTH6016LSDQ-13 Diodes Incorporated

DMTH6016LSDQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 7.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W, 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 155000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.54 грн
5000+30.92 грн
7500+30.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH6016LSDQ-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 60V 7.6A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.4W, 1.9W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMTH6016LSDQ-13 за ціною від 31.86 грн до 125.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH6016LSDQ-13 DMTH6016LSDQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0002906137_1-2542160.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 3903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.20 грн
10+76.61 грн
100+51.30 грн
500+42.38 грн
1000+33.45 грн
2500+31.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LSDQ-13 DMTH6016LSDQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH6016LSDQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 7.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W, 1.9W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 155753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.60 грн
10+76.65 грн
100+51.37 грн
500+38.03 грн
1000+34.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LSDQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH6016LSDQ.pdf DMTH6016LSDQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.