Продукція > DIODES INCORPORATED > DMTH61M5SPSW-13
DMTH61M5SPSW-13

DMTH61M5SPSW-13 Diodes Incorporated

DMTH61M5SPSW.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (SWP)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8306 pF @ 30 V
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+65.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH61M5SPSW-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (SWP), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8306 pF @ 30 V.

Інші пропозиції DMTH61M5SPSW-13 за ціною від 60.65 грн до 196.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH61M5SPSW-13 DMTH61M5SPSW-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH61M5SPSW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (SWP)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8306 pF @ 30 V
на замовлення 34876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.17 грн
10+122.16 грн
100+84.06 грн
500+64.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH61M5SPSW-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH61M5SPSW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+92.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH61M5SPSW-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH61M5SPSW.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.85 грн
10+135.48 грн
100+82.09 грн
500+66.66 грн
1000+66.05 грн
2500+60.96 грн
10000+60.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.