DMTH61M8LPS-13 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH61M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 225 A, 0.0012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 79.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH61M8LPS-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH61M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 225 A, 0.0012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 225A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 3.2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.2W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DMTH61M8LPS-13 за ціною від 67.43 грн до 175.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMTH61M8LPS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH61M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 225 A, 0.0012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 225A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.2W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 2435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMTH61M8LPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 225A PWRDI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 187.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 30 V |
на замовлення 1725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMTH61M8LPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K |
на замовлення 1633 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMTH61M8LPS-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 225A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| DMTH61M8LPS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; Idm: 900A; 3.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 160A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 3.2W Case: PowerDI5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 115.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2500 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
DMTH61M8LPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 225A PWRDI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 187.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 30 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| DMTH61M8LPS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; Idm: 900A; 3.2W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 160A Pulsed drain current: 900A Power dissipation: 3.2W Case: PowerDI5060-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.8mΩ Mounting: SMD Gate charge: 115.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |