Продукція > DIODES INCORPORATED > DMTH69M8LFVWQ-7
DMTH69M8LFVWQ-7

DMTH69M8LFVWQ-7 Diodes Incorporated

DMTH69M8LFVWQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.9A (Ta), 45.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 29.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+21.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH69M8LFVWQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.9A (Ta), 45.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 29.4W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMTH69M8LFVWQ-7 за ціною від 19.26 грн до 82.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH69M8LFVWQ-7 DMTH69M8LFVWQ-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0011114909-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH69M8LFVWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45.4 A, 0.0077 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+34.01 грн
500+23.72 грн
1000+19.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH69M8LFVWQ-7 DMTH69M8LFVWQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0011114909_1-2543712.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 41V 60V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.76 грн
10+57.11 грн
100+38.62 грн
250+37.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH69M8LFVWQ-7 DMTH69M8LFVWQ-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0011114909-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH69M8LFVWQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 45.4 A, 0.0077 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29.4W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+76.56 грн
17+50.92 грн
100+34.01 грн
500+23.72 грн
1000+19.26 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH69M8LFVWQ-7 DMTH69M8LFVWQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMTH69M8LFVWQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.9A (Ta), 45.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 29.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.39 грн
10+49.67 грн
100+32.55 грн
500+23.62 грн
1000+21.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH69M8LFVWQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH69M8LFVWQ.pdf DMTH69M8LFVWQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.