Продукція > DIODES INCORPORATED > DMTH8001STLW-13
DMTH8001STLW-13

DMTH8001STLW-13 Diodes Incorporated

DMTH8001STLW.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: POWERDI1012-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 138 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8894 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+180.58 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH8001STLW-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMTH8001STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 270 A, 1100 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 136W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerDI 1012, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm.

Інші пропозиції DMTH8001STLW-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMTH8001STLW-13 DMTH8001STLW-13 DIODES INC. DMTH8001STLW.pdf Description: DIODES INC. - DMTH8001STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 270 A, 1100 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 1012
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 2203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8001STLW-13 DMTH8001STLW-13 DIODES INC. DMTH8001STLW.pdf Description: DIODES INC. - DMTH8001STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 270 A, 1100 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 1012
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 2203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8001STLW-13 Diodes Incorporated DMTH8001STLW.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI1012-8 T&R 1.5K
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8001STLW-13 DMTH8001STLW.pdf
DMTH8001STLW-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8001STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 270 A, 1100 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 1012
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 2203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8001STLW-13 DMTH8001STLW.pdf
DMTH8001STLW-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8001STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 270 A, 1100 µohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 136W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 1012
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
на замовлення 2203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH8001STLW-13 DMTH8001STLW.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI1012-8 T&R 1.5K
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.